上海科学技术出版社

类型：综合性科技出版社

成立时间：1956年初

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《MOS集成电路结构与制造技术》利用集成电路剖面结构技术，系统地介绍MOS集成电路结构和典型集成电路制造技术，包括PMOS（E／E型、E／D型）、NMOS（E／E型、E／D型）、CMOS（P-Well、N-Well、TWin-Well）、LV／HV兼容CMOS、BiCMOS、LV／HV兼容BiCMOS以及LV／HV兼容BCD。书中描绘出组成各种集成电路的各种元器件工艺剖面结构，从而建立了元器件工艺剖面结构中高达120余种的基本单元库。根据基本单元库描绘出高达360余种电路芯片工艺剖面结构。然后根据电路芯片工艺剖面结构和制造技术，介绍了40余种典型集成电路制造技术，并描绘出工艺制程中各个工序的平面结构和工艺剖面结构。如此深入地展示电路芯片工艺剖面结构，有助于电路设计、芯片制造、良率提高、产品质量改进、电路失效分析等。 《MOS集成电路结构与制造技术》技术含量高，非常实用，可作为从事MOS集成电路设计、制造等方面工程技术人员的参考资料或者是公司员工培训的教材，也可以作为微电子专业高年级本科生的重要参考书，同时可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考。 集成电路各种剖面结构和工艺制程图示的复制引用，转载时，必须得到本版权所有者的同意，否则将依法追究责任。