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IGBT场效应半导体功率器件导论
- 出版社::教育科学出版社
:教育科学出版社
出版社信息:
类型:
成立时间:
出版社特色:
出版社简介:
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IGBT场效应半导体功率器件导论书籍相关信息
ISBN:9787030200419
作者:
袁寿财
出版社:
:教育科学出版社
出版时间:2007-12
页数:209
价格:38.00元
纸张:暂无纸张
装帧:暂无装帧
开本:暂无开本
语言:暂无语言
适合人群:电子工程师, 功率电子领域研究人员, 微电子专业学生, 电力系统工程师, 电子技术爱好者
TAG:
电子工程
/
微电子学
/
电力电子
/
半导体器件
/
场效应晶体管
/
IGBT
/
功率电子学
/
功率半导体
豆瓣评分:暂无豆瓣评分
更新时间:2025-05-15 00:37:38
内容简介:
《IGBT场效应半导体功率器件导论》以新一代半导体功率器件IGBT为主线,系统地论述了场效应半导体功率器件的基础理论和工艺制作方面的知识。内容包括器件的原理、模型、设计、制作工艺等。重点讨论IGBT,同时对其它器件如IGCT、CoolMOS、IGCT等也作了简单介绍。书中注意强调基础理论的阐述,并适当吸收该领域近期的研究报道,各章后都附有相关参考文献,在书的最后还附有主要参考书目和贯穿全书统一使用的符号表。
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IGBT场效应半导体功率器件导论
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IGBT场效应半导体功率器件导论分类索引数据信息
ISBN:9787030200419
出版日期:2007-12
适合人群:电子工程师, 功率电子领域研究人员, 微电子专业学生, 电力系统工程师, 电子技术爱好者