半导体器件物理

《半导体器件物理》（第3版）这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容，并做了更新和重新组织，反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展，它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件，如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》（第3版）专为研究生教材和参考所需设计，新版本包括：以最新进展进行了全面更新；包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述；对内容进行了重新组织和安排；各章后面配备了习题；重新高质量地制作了书中的所有插图。

译者序 前言 导言 第1部分半导体物理 第1章半导体物理学和半导体性质概要 1.1引言 1.2晶体结构 1.3能带和能隙 1.4热平衡时的载流子浓度 1.5载流子输运现象 1.6声子、光学和热特性 1.7异质结和纳米结构 1.8基本方程和实例 第2部分器件的基本构件 第2章p-n结二极管 2.1引言 2.2耗尽区 2.3电流-电压特性 2.4结击穿 2.5瞬变特性与噪声 2.6端功能 2.7异质结 第3章金属-半导体接触 3.1引言 3.2势垒的形成 3.3电流输运过程 3.4势垒高度的测量 3.5器件结构 3.6欧姆接触 第4章金属-绝缘体-半导体电容 4.1引言 4.2理想MIS电容 4.3硅MOS电容 第3部分晶体管 第5章双极晶体管 5.1引言 5.2静态特性 5.3微波特性 5.4相关器件结构 5.5异质结双极晶体管 第6章MOS场效应晶体管 6.1引言 6.2器件的基本特性 6.3非均匀掺杂和埋沟器件 6.4器件按比例缩小和短沟道效应 6.5MOSFET的结构 6.6电路应用 6.7非挥发存储器 6.8单电子晶体管 第7章JFET，MESFET和MODFET器件 7.1引言 7.2JFET和MODFET 7.3MODFET 第4部分负阻器件和功率器件 第8章隧道器件 8.1引言 8.2隧道二极管 8.3相关的隧道器件 8.4共振遂穿二极管 第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管 第10章转移电子器件和实空间转移器件 第11章晶闸管和功率器件 第5部分光学器件和传感器 第12章发光二极管和半导体激光器 第13章光电探测器和太阳电池 第14章传感器 附录A.符号表 B.国际单位制 C.单位词头 D.希腊字母表 E.物理常数 F.重要半导体的特性 G.Si和GaAs的特性 H.SiO2和Si3N4的特性

施敏（Simon M·Sze） 美国籍，微电子科学技术、半导体器件物理专业，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授，美国工程院院士。1936年出生。1957年毕业于台湾大学。1960年、1963年分别获得华盛顿大学和斯坦福大学硕士与博士学位。 施敏博士是国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家。他是非挥发MOS场效应记忆晶体管（MOSFET）的发明者，这项发明已成为世界集成电路产业主导产品之一，90年代初其产值已达100亿美元。此外，他还有多项创造性成果，如80年代初首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标，如此等等。 施敏博士在微电子科学技术著作方面举世闻名，对半导体元件的发展和人才培养方面，作出贡献。他的三本专著已在我国翻译出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻译成六国文字，发行量逾百万册；他的著作广泛用作教科书与参考书。由于他在微电子器件及在人才培养方面的贡献，先后被选为台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士；1991年他得到IEEE电子器件的最高荣誉奖（Ebers奖），称他在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。 施敏博士多次来国内讲学，参加我国微电子器件研讨会；他对台湾微电子产业的发展，曾提出过有份量的建议。他曾一再表示愿为我国微电子产业的发展提供咨询。 1998年6月当选为中国工程院外籍院士。

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• 本书获第八届引进版优秀图书奖

  来源：豆瓣 发布时间：2025-05-20 15:39:24