晶体生长中输运现象及晶体缺陷(精)
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内容简介：
本书是作者在十多年来从事晶体生长和工程热物理交叉领域研究的基础上编写的。书中首先阐述晶体生长的基本原理和输运现象，并介绍计算流体力学方法；其次着重讨论薄膜制备中传热和传质现象，包括薄膜制备系统的复杂化学反应机理，并介绍与传热和传质相关的晶体缺陷；然后，以多晶硅、蓝宝石、氮化镓等应用广泛的晶体为例，详细讨论块状晶体、薄膜晶体制备过程的研究方法和优化策略；最后，书中进一步讨论从分子动力学角度理解开裂、位错等晶体缺陷形成的机理，以及采用第一性原理辅助的分子动力学方法预测热物性参数的理论。
本书可作为人工晶体、材料力学、工程热物理等领域科研人员的参考书，也可作为晶体生长公司技术人员的专门培训教材，有助于解决实际晶体生长过程中遇到的难题。
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用户1721270661：
( 2024-07-18 10:44:21 )
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用户1745132003：
( 2025-04-20 14:53:23 )
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用户1736267779：
( 2025-01-08 00:36:19 )
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用户1729346989：
( 2024-10-19 22:09:49 )
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用户1729212329：
( 2024-10-18 08:45:29 )
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