PDN设计之电源完整性

本书阐明信号如何与互连交互、串联和并联RLC电路的阻抗相关的属性，如何从物理设计特征预测回路电感和降低电容器组合的峰值阻抗，还直[1击1]常见问题的根源，利用分析工具，有效地探索设计空间和[0优0]化[0权0]衡。

译者序 前言 致谢 第1章电源分配网络工程 11电源分配网络的定义及关心它的原因 12PDN工程 13PDN的鲁棒性设计 14建立PDN阻抗曲线 15总结 参考文献 第2章PDN阻抗设计基本原理 21关心阻抗的原因 22频域中的阻抗 23阻抗的计算或仿真 24实际电路元件与理想电路元件 25串联RLC电路 26并联RLC电路 27串联和并联RLC电路的谐振特性 28RLC电路和真实电容器的例子 29从芯片或电路板的角度观察PDN 210瞬态响应 211高级主题：阻抗矩阵 212总结 参考文献 第3章低阻抗测量 31关注低阻抗测量的原因 32基于V/I阻抗定义的测量 33基于信号反射的阻抗测量 34用VNA测量阻抗 35示例：测量DIP中两条引线的阻抗 36示例：测量小导线回路的阻抗 37低频下VNA阻抗测量的局限性 38四点开尔文电阻测量技术 39双端口低阻抗测量技术 310示例：测量直径为1in的铜环阻抗 311夹具伪像说明 312示例：测量通孔的电感 313示例：印制板上的小型 MLCC电容器 314高级主题：测量片上电容 315总结 参考文献 第4章电感和PDN设计 41留意PDN设计中电感的原因 42简单回顾电容，初步了解电感 43电感的定义、磁场和电感的基本原则 44电感的阻抗 45电感的准静态近似 46磁场密度 47磁场中的电感和能量 48麦克斯韦方程和回路电感 49内部及外部电感和趋肤深度 410回路电感、部分电感、自电感和互电感 411均匀圆形导体 412圆形回路中电感的近似 413紧密结合的宽导体的回路电感 414均匀传输线回路电感的近似 415回路电感的简单经验法则 416高级主题：利用3D场求解器计算S参数并选取回路电感 417总结 参考文献 第5章实用多层陶瓷片状电容器的集成 51使用电容器的原因 52实际电容器的等效电路模型 53并联多个相同的电容器 54两个不同电容器间的并联谐振频率 55PRF处的峰值阻抗 56设计一个贴片电容 57电容器温度与电压稳定性 58多大的电容是足够的 59一阶和二阶模型中实际电容器的ESR 510从规格表中估算电容器的ESR 511受控ESR电容器 512电容器的安装电感 513使用供应商提供S参数的电容器型号 514如何分析供应商提供的S参数模型 515高级主题：更高带宽的电容模型 516总结 参考文献 第6章平面和电容器的特性 61平面的关键作用 62平面的低频特性：平行板电容 63平面的低频特性：边缘场电容 64平面的低频特性：功率坑中的边缘场电容 65长窄腔回路电感 66宽腔中的扩散电感 67从3D场求解器中获得扩散电感 68集总电路中串联和并联的自谐振频率 69探讨串联LC谐振的特性 610扩散电感和源的接触位置 611两个接触点之间的扩散电感 612电容器和腔的相互作用 613扩散电感的作用：电容位置在何时重要 614饱和扩散电感 615空腔模态共振和传输线特性 616传输线和模态共振的输入阻抗 617模态共振和衰减 618空腔二维模型 619高级主题：使用传输阻抗探测扩散电感 620总结 参考文献 第7章信号返回平面改变时，信号完整性的探讨 71信号完整性和平面 72涉及峰值阻抗问题的原因 73通过较低阻抗和较高阻尼来降低腔体噪声 74使用短路通孔遏制腔体谐振 75使用多个隔直电容抑制腔体谐振 76为抑制腔体谐振，估计隔直电容器的数量 77为承受回路电流，需要确定隔直电容器的数量 78使用未达最佳数量的隔直电容器的腔体阻抗 79扩散电感和电容器的安装电感 710使用阻尼来遏制由一些电容器产生的并联谐振峰 711腔体损耗和阻抗峰的降低 712使用多个容量的电容器来遏制阻抗峰 713使用受控ESR电容器来减小峰值阻抗高度 714处理回路平面最为重要的设计原理的总结 715高级主题：使用传输线电路对平面建模 716总结 参考文献 第8章PDN生态学 81元件集中在一起：PDN生态学和频域 82高频端：芯片去耦电容 83封装PDN 84Bandini山 85估计典型的Bandini 山频率 86Bandini山的固有阻尼 87具有多个通孔对接触的电源地平面 88从芯片通过封装看PCB腔体 89空腔的作用：小印制板、大印制板和“电源旋涡” 810低频端：VRM和它的大容量电容器 811大容量电容器：多大的电容值足够 812优化大容量电容器和VRM 813建立PDN生态学系统：VRM、大容量电容器、腔体、封装和片上电容器 814峰值阻抗的基本限制 815在具有一般特性的印制板上使用单数值的MLCC电容器 816优化单个MLCC电容器的数值 817在印制板上使用3个不同数值的MLCC电容器 818优化3个电容器的数值 819选择电容值和最小电容器数目的频域目标阻抗法 820使用FDTIM选择电容器的值 821当片上电容是大的和封装引线电感小的时候 822使用受控ESR电容器是一种替换的去耦策略 823封装上的去耦电容器 824高级主题：同一供电电路上多个芯片的影响 825总结 参考文献 第9章瞬时电流和PDN电压噪声 91瞬时电流如此重要的原因 92平坦阻抗曲线、瞬时电流

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